Analyse du vieillissement de la métallisation d'un MOSFET par la distribution du potentiel de source

Résumé :

La reconstruction de la couche de métallisation est l'un des mécanismes de dégradation le plus observé dans les composants électroniques de puissance de type smart power soumis à des contraintes thermiques sévères telle que les courts-circuits répétitifs en raison des contraintes thermomécaniques imposées : variation et niveaux de température élevés. Pour évaluer le niveau de dégradation de la métallisation, le principal indicateur de vieillissement est la mesure de la résistance à l'état passant RDSON qui est systématiquement associée à l'évolution de la résistance du métal. L'étude présentée dans cet article apporte des éléments de compréhension sur l'effet de la reconstruction de la métallisation sur le vieillissement et la défaillance du composant de puissance à travers une large analyse expérimentale axée sur la mesure de la cartographie du potentiel de source au cours du vieillissement

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Contributor : Ccsd Sciencesconf.Org <>
Submitted on : Wednesday, September 7, 2016 - 2:28:17 PM
Last modification on : Friday, October 11, 2019 - 8:22:08 PM
Long-term archiving on : Thursday, December 8, 2016 - 2:05:28 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-01361625, version 1

Citation

Roberta Ruffilli, Mounira Berkani, Gilles Rostaing, Marc Legros, Stéphane Lefebvre, et al.. Analyse du vieillissement de la métallisation d'un MOSFET par la distribution du potentiel de source. Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361625⟩

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