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Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Contributions aux circuits de « gate-driver » dédiés aux transistors de puissance à forte vitesse de commutation dans un environnement haute temperature

Thanh-Long Le
  • Fonction : Auteur
Farshid Sarrafin-Ardebili
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 988495
Davy Colin
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 988496
Ngoc-Duc To
  • Fonction : Auteur
Nicolas Clément, Jean-Paul Rouger
Pierre Lefranc
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 960120
Yves Lembeye
Jean-Daniel Arnould
Nicolas Carrao
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 988498
Bruno Allard
Jean-Christophe Crebier

Résumé

Basé sur les contraintes de fonctionnement des transistors à commutations rapides, cet article présente et analyse la problématique du transfert des ordres de commande du transistor « high-side » dans une configuration de bras d'onduleur. En plus des contraintes imposées par les forts « dv/dt » sur le driver, la température de fonctionnement élevée (jusqu'à 200°C) impose une conception spécifique du circuit de commande. Aujourd'hui, la technologie silicium reste la solution la plus fiable et la plus mature pour la conception du driver mais au prix d'une mise en œuvre délicate (tenue en tension, température, dv/dt). Trois solutions sont proposées et comparées : transformateur coreless, level-shifter et émetteur/récepteur optique. Les délais de propagation, l'intégrité du signal (durée du rapport cyclique et précision temporelle) ainsi que l'immunité aux dv/dt des prototypes sont caractérisées en fonction de la température ambiante de fonctionnement.

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Dates et versions

hal-01361602 , version 1 (07-09-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01361602 , version 1

Citer

Van-Sang Nguyen, Thanh-Long Le, Farshid Sarrafin-Ardebili, Davy Colin, Ngoc-Duc To, et al.. Contributions aux circuits de « gate-driver » dédiés aux transistors de puissance à forte vitesse de commutation dans un environnement haute temperature. Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361602⟩
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