Contributions aux circuits de « gate-driver » dédiés aux transistors de puissance à forte vitesse de commutation dans un environnement haute temperature

Résumé :

Basé sur les contraintes de fonctionnement des transistors à commutations rapides, cet article présente et analyse la problématique du transfert des ordres de commande du transistor « high-side » dans une configuration de bras d'onduleur. En plus des contraintes imposées par les forts « dv/dt » sur le driver, la température de fonctionnement élevée (jusqu'à 200°C) impose une conception spécifique du circuit de commande. Aujourd'hui, la technologie silicium reste la solution la plus fiable et la plus mature pour la conception du driver mais au prix d'une mise en œuvre délicate (tenue en tension, température, dv/dt). Trois solutions sont proposées et comparées : transformateur coreless, level-shifter et émetteur/récepteur optique. Les délais de propagation, l'intégrité du signal (durée du rapport cyclique et précision temporelle) ainsi que l'immunité aux dv/dt des prototypes sont caractérisées en fonction de la température ambiante de fonctionnement.

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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01361602
Contributor : Ccsd Sciencesconf.Org <>
Submitted on : Wednesday, September 7, 2016 - 2:26:07 PM
Last modification on : Wednesday, March 13, 2019 - 11:16:02 AM
Long-term archiving on : Thursday, December 8, 2016 - 1:16:09 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-01361602, version 1

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Citation

Van-Sang Nguyen, Thanh-Long Le, Farshid Sarrafin-Ardebili, Davy Colin, Ngoc-Duc To, et al.. Contributions aux circuits de « gate-driver » dédiés aux transistors de puissance à forte vitesse de commutation dans un environnement haute temperature. Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361602⟩

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