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Communication Dans Un Congrès Année : 2016

La diode Schottky en diamant : le présent et le futur

Résumé

Des diodes Schottky en diamant avec une structure pseudo-verticales montrant une densité de courant de 10^3A/cm2 (à 6V) avec un champ de claquage supérieur à 7.7MV/cm ont été réalisées. Ces diodes ont été obtenues par croissance homoépitaxiale du diamant avec le zirconium comme métal de contact Schottky. Ces résultats ont permis d'avoir le record mondial actuel du facteur de Baliga pour le diamant avec 244MV/cm^2. Ces travaux montrent que les potentialités du diamant ne sont pas uniquement théoriques. La maitrise actuelle des interfaces et de la croissance permettent d'imaginer des composants de puissance performant en poussant le diamant dans ses retranchements.
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Dates et versions

hal-01361578 , version 1 (07-09-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01361578 , version 1

Citer

David Eon, Julien Pernot, Aboulaye Traoré, Nicolas Clément, Jean-Paul Rouger, Etienne Gheeraert. La diode Schottky en diamant : le présent et le futur. Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361578⟩
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