Cryogenic etching of silicon with SF6/O2: a computational and experimental study - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2016

Cryogenic etching of silicon with SF6/O2: a computational and experimental study

Stefan Tinck
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 965232
Research group PLASMANT
Erik Neyts
  • Fonction : Auteur
Research group PLASMANT
Thomas Tillocher
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
CV
Remi Dussart
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
CV
Annemie Bogaerts
  • Fonction : Auteur
Research group PLASMANT

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph]

Remi Dussart  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01344725

Soumis le : mardi 12 juillet 2016-14:29:41

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01344725 , version 1 (12-07-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01344725 , version 1

Citer

Stefan Tinck, Erik Neyts, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Annemie Bogaerts. Cryogenic etching of silicon with SF6/O2: a computational and experimental study. Plasma Etch and Strip in Microtechnology, May 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01344725⟩

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