Protection ESD pour MESFET SiC

Tanguy Phulpin (1, 2) , Karine Isoird (2, 1) , David Trémouilles (2) , Patrick Austin (1, 2)

1 UT3 - Université Toulouse III - Paul Sabatier
2 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie

Trois MESFETs conçus au laboratoire Ampère (Lyon) et réalisé au CNM (Barcelone) Ces MESFETs sont dédiés à la réalisation de driver monolithique de JFET de puissance en SiC, travaillant en environnement sévère (>300 °C) • Composants SiC prometteurs pour électronique embarquée de puissance: fonctionne à plus haute fréquence, à plus haute tension et à plus haute température. • ESD, problèmes majeurs de fiabilité sur les circuits intégrés. • Etude TLP afin de qualifier un Mesfet pour des applications (de puissance, de signal, de fonctions logiques) et ainsi faciliter sa mise sur le marché et son développement.

Mots clés: MESFET; SiC; ESD; protection

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Tanguy Phulpin, Karine Isoird, David Trémouilles, Patrick Austin. Protection ESD pour MESFET SiC. Journées Intégration et Systèmes de Puissance 3D (ISP3D), Mar 2015, Tours, France. 2015. ⟨hal-01339804⟩