New model of electron-hole pair recombination in (Ga,In)N/GaN low-dimensional systems - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

New model of electron-hole pair recombination in (Ga,In)N/GaN low-dimensional systems

Pierre Lefebvre
Groupe d'étude des semiconducteurs
CV
Aurélien Morel
  • Fonction : Auteur
Groupe d'étude des semiconducteurs
Thierry Taliercio
Groupe d'étude des semiconducteurs
CV
Sokratis Kalliakos
  • Fonction : Auteur
Groupe d'étude des semiconducteurs
Bernard Gil
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860800
Groupe d'étude des semiconducteurs

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique [physics.optics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

Pierre Lefebvre  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01312484

Soumis le : vendredi 6 mai 2016-16:31:45

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01312484 , version 1 (06-05-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01312484 , version 1

Citer

Pierre Lefebvre, Aurélien Morel, Thierry Taliercio, Sokratis Kalliakos, Bernard Gil. New model of electron-hole pair recombination in (Ga,In)N/GaN low-dimensional systems. 5th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS 5., May 2003, Nara, Japan. ⟨hal-01312484⟩

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