Robustesse de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques

Tanguy Phulpin (1, 2) , David Trémouilles (1) , Karine Isoird (2, 1) , Patrick Austin (1, 2) , M Vellvehi (3) , X Perpinya (3) , X Jorda (3) , Leon J (3)

1 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
2 UT3 - Université Toulouse III - Paul Sabatier
3 CNM - Centre Nacional de Microelectrònica

L'émergence des composants de puissance commercial en carbure de silicium (SiC) dans notre société s'accentue d'années en années mais certaines de leurs faiblesses perdurent. Dans ce travail nous étudierons l'impact de décharges électrosta-tiques (ESD) sur différents MESFET et nous montrerons que la faiblesse principale est intrinsèquement liée aux propriétés de son diélectrique de passivation le plus commun, le SiO2. Une analyse de ce composant voué à fonctionner en conditions sévères définira les limites actuelles de cette technologie en terme de robustesse aux ESD. Mots-clés – SiC, MESFET, stress ESD, fiabilité, oxyde de passiva-tion, Lock'in thermographie, thermographi infrarouge active, robus-tesse

Domaines: Physique [physics]

Tanguy Phulpin, David Trémouilles, Karine Isoird, Patrick Austin, M Vellvehi, et al.. Robustesse de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques. SGE Symposium de Génie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01310299⟩