Carrier recombination dynamics and internal electric fields in GaN/AlN self-organized quantum dots.

Pierre Lefebvre (1) , Thierry Bretagnon (1) , Thierry Taliercio (1) , Thierry Guillet (1) , Bernard Gil (1) , Nicolas Grandjean (2) , Fabrice Semond (2) , Benjamin Damilano (2) , Amélie Dussaigne (2) , Jean Massies (2)

1 GES - Groupe d'étude des semiconducteurs
2 CRHEA - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]; Optique [physics.optics]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Optique / photonique

Pierre Lefebvre, Thierry Bretagnon, Thierry Taliercio, Thierry Guillet, Bernard Gil, et al.. Carrier recombination dynamics and internal electric fields in GaN/AlN self-organized quantum dots.. 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS6). , Aug 2006, Brème, Germany. ⟨hal-01309937⟩