Understanding parasitic effects to improve the 3omega measurement of GaN HEMTs thermal impedance - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Understanding parasitic effects to improve the 3omega measurement of GaN HEMTs thermal impedance

Mustafa Avcu
  • Fonction : Auteur
Raphaël Sommet
Jean-Pierre Teyssier
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 914307
Raymond Quéré

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01287697 , version 1 (14-03-2016)

Identifiants

Citer

Mustafa Avcu, Raphaël Sommet, Guillaume Callet, Jean-Pierre Teyssier, Raymond Quéré. Understanding parasitic effects to improve the 3omega measurement of GaN HEMTs thermal impedance. IEEE Intersociety Conference on Thermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems (ITherm), May 2014, ORLANDO, United States. pp.942-946, ⟨10.1109/ITHERM.2014.6892383⟩. ⟨hal-01287697⟩

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