Single-crystal nanopyramidal BGaN by nanoselective area growth on AlN/Si(111) and GaN templates

Type de document :
Article dans une revue
Nanotechnology, Institute of Physics, 2016
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Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : lundi 22 février 2016 - 18:32:42
Dernière modification le : mardi 3 octobre 2017 - 13:00:02

Identifiants

  • HAL Id : hal-01277601, version 1

Citation

Sundaram Suresh, Xin Li, Youssef El Gmili, Peter Bonanno, Cedric Pradalier, et al.. Single-crystal nanopyramidal BGaN by nanoselective area growth on AlN/Si(111) and GaN templates. Nanotechnology, Institute of Physics, 2016. 〈hal-01277601〉

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