Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and nitrogen

Abstract : no abstract
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Article dans une revue
Superlattices and Microstructures, Elsevier, 2006, 40 (4), pp.476--482
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Contributeur : Sidi Ould Saad Hamady <>
Soumis le : dimanche 21 février 2016 - 18:42:50
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:21

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  • HAL Id : hal-01277025, version 1

Citation

A Sirenko, A Ougazzaden, C Sartel, S Gautier, Sidi Ould Saad Hamady, et al.. Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and nitrogen. Superlattices and Microstructures, Elsevier, 2006, 40 (4), pp.476--482. 〈hal-01277025〉

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