MOVPE growth of wide bandgap materials containing boron B (Al) GaN for compact Ultraviolet lasers

Abstract : no abstract
Type de document :
Communication dans un congrès
PHysics & Applications of SEmiconductor LASERs, 2006, Unknown, Unknown or Invalid Region. 2006
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Contributeur : Sidi Ould Saad Hamady <>
Soumis le : dimanche 21 février 2016 - 18:42:47
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:21

Identifiants

  • HAL Id : hal-01277022, version 1

Citation

S Gautier, C Sartel, Sidi Ould Saad Hamady, A Ougazzaden. MOVPE growth of wide bandgap materials containing boron B (Al) GaN for compact Ultraviolet lasers. PHysics & Applications of SEmiconductor LASERs, 2006, Unknown, Unknown or Invalid Region. 2006. 〈hal-01277022〉

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