GaN materials growth by MOVPE in a new-design reactor using DMHy and NH 3

Abstract : no abstract
Type de document :
Article dans une revue
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2007, 298, pp.428--432
Liste complète des métadonnées

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01276979
Contributeur : Sidi Ould Saad Hamady <>
Soumis le : dimanche 21 février 2016 - 18:42:01
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:21

Identifiants

  • HAL Id : hal-01276979, version 1

Citation

S Gautier, C Sartel, Sidi Ould Saad Hamady, J Martin, A Sirenko, et al.. GaN materials growth by MOVPE in a new-design reactor using DMHy and NH 3. Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2007, 298, pp.428--432. 〈hal-01276979〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

56