Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2014
Hélène Fremont : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01257984
Soumis le : lundi 18 janvier 2016-14:50:58
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01257984 , version 1
Citer
L. Meinshausen, Hélène Frémont, Kirsten Weide-Zaage. Electro- and thermomigration induced Cu3Sn and Cu6Sn5 formation in SnAg3.0Cu0.5 bumps . Microelectronics Reliability, 2014. ⟨hal-01257984⟩
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