Work function engineering of doped Trilayer graphene grown on 4H-SiC (0001) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Work function engineering of doped Trilayer graphene grown on 4H-SiC (0001)

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Mohamed Boutchich  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01257881

Soumis le : mardi 19 janvier 2016-15:51:01

Dernière modification le : mercredi 20 septembre 2023-13:10:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01257881 , version 1 (19-01-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01257881 , version 1

Citer

Hakim Arezki, Mohamed Boutchich, Jean-Paul Kleider, J Alvarez, David Alamarguy, et al.. Work function engineering of doped Trilayer graphene grown on 4H-SiC (0001). ANM2015,6th International Conference on Advanced Nanomaterials, Jul 2015, Aveiro, Portugal. ⟨hal-01257881⟩

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