Nanoselective area growth of high quality thick InGaN/GaN on sacrificial ZnO templates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Nanoselective area growth of high quality thick InGaN/GaN on sacrificial ZnO templates

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01257054 , version 1 (15-01-2016)

Licence

Paternité

Identifiants

  • HAL Id : hal-01257054 , version 1

Citer

Renaud Puybaret, Suresh Sundaram, Xin Li, Youssef El Gmili, Konstantinos Pantzas, et al.. Nanoselective area growth of high quality thick InGaN/GaN on sacrificial ZnO templates. EMR Spring Meeting, May 2015, Lille, France. ⟨hal-01257054⟩
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