Admittance spectroscopy of Ga(In)P(NAs) based solar cells grown on silicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2015

Admittance spectroscopy of Ga(In)P(NAs) based solar cells grown on silicon

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01238537

Soumis le : samedi 5 décembre 2015-16:28:11

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:01

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01238537 , version 1 (05-12-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01238537 , version 1

Citer

Artem Baranov, A.S. Gudovskikh, E.V. Nikitina, Jean-Paul Kleider, Arouna Darga. Admittance spectroscopy of Ga(In)P(NAs) based solar cells grown on silicon. Journées Nationales du Photovoltaïque 2015 (JNPV 2015), Dec 2015, Dourdan, France. ⟨hal-01238537⟩

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