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Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Limitation of surface defects in deep GaN etching

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph]

Thomas Tillocher  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01228462

Soumis le : vendredi 13 novembre 2015-10:47:47

Dernière modification le : lundi 19 février 2024-16:15:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01228462 , version 1 (13-11-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01228462 , version 1

Citer

Nicolas Gosset, Thomas Tillocher, Floriane Leroy, Julien Ladroue, Philippe Lefaucheux, et al.. Limitation of surface defects in deep GaN etching. AVS 62nd International Symposium & Exhibition, Oct 2015, San Jose, United States. ⟨hal-01228462⟩

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