Cryogenic etching of silicon with SF6/O2/SiF4 plasmas: a modelling and experimental study - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Cryogenic etching of silicon with SF6/O2/SiF4 plasmas: a modelling and experimental study

Stefan Tinck
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 965232
Research group PLASMANT
E.C. Neyts
  • Fonction : Auteur
Thomas Tillocher
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
CV
Remi Dussart
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
CV
Annemie Bogaerts
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 906837
Research group PLASMANT

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph]

Thomas Tillocher  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01228451

Soumis le : vendredi 13 novembre 2015-10:38:29

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:01

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01228451 , version 1 (13-11-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01228451 , version 1

Citer

Stefan Tinck, E.C. Neyts, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Annemie Bogaerts. Cryogenic etching of silicon with SF6/O2/SiF4 plasmas: a modelling and experimental study. 22nd International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC 2015), Jul 2015, Antwerp, Belgium. ⟨hal-01228451⟩

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