Conception et réalisation d’un O.C.T. à très faible bruit de phase en bande Ku implémenté en technologie BiCMOS SiGe:C 0.25 μm - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Conception et réalisation d’un O.C.T. à très faible bruit de phase en bande Ku implémenté en technologie BiCMOS SiGe:C 0.25 μm

Jérémy Hyvert
SIC
David Cordeau
SIC
Jean-Marie Paillot
SIC

Résumé

Ce papier présente un Oscillateur Contrôlé en Tension (O.C.T.) à très faible bruit de phase oscillant en bande Ku, intégré et implémenté avec la technologie QUBiC4X 0.25 μm SiGe:C BiCMOS développée par NXP Semiconductors. Cet O.C.T. s’appuie sur une archi-tecture originale dont la partie active fonctionne en classe-C. Le bruit de phase mesuré dans le pire cas est de -95 dBc/Hz à 100 kHz de la porteuse (12.58 GHz), la consommation maximale est de 24.6 mA sous 5 V et la fréquence varie de 12.58 GHz à 14.89 GHz. L’O.C.T. occupe une surface de 0.83x1.05 mm² (pads compris).

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01161370 , version 1 (08-06-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01161370 , version 1

Citer

Jérémy Hyvert, David Cordeau, Jean-Marie Paillot, Pascal Philippe, Fahs Bassem. Conception et réalisation d’un O.C.T. à très faible bruit de phase en bande Ku implémenté en technologie BiCMOS SiGe:C 0.25 μm. XIXèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2015, Bordeaux, France. pp.47-50. ⟨hal-01161370⟩
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