Conception et réalisation d’un O.C.T. à très faible bruit de phase en bande Ku implémenté en technologie BiCMOS SiGe:C 0.25 μm
Résumé
Ce papier présente un Oscillateur Contrôlé en Tension (O.C.T.) à très faible bruit de phase oscillant en bande Ku, intégré et implémenté avec la technologie QUBiC4X 0.25 μm SiGe:C BiCMOS développée par NXP Semiconductors. Cet O.C.T. s’appuie sur une archi-tecture originale dont la partie active fonctionne en classe-C. Le bruit de phase mesuré dans le pire cas est de -95 dBc/Hz à 100 kHz de la porteuse (12.58 GHz), la consommation maximale est de 24.6 mA sous 5 V et la fréquence varie de 12.58 GHz à 14.89 GHz. L’O.C.T. occupe une surface de 0.83x1.05 mm² (pads compris).