Study of Ga incorporation in glassy arsenic selenides by high-resolution XPS and EXAFS

R. Golovchak; Ya. Shpotyuk; Virginie Nazabal; C. Boussard-Pledel; B. Bureau; J. Cebulski; H. Jain

doi:10.1063/1.4919947

Article Dans Une Revue Journal of Chemical Physics Année : 2015

Study of Ga incorporation in glassy arsenic selenides by high-resolution XPS and EXAFS

, (1) , (1) , , , , (2)

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R. Golovchak

Fonction : Auteur

Ya. Shpotyuk

Fonction : Auteur

Institut des Sciences Chimiques de Rennes

Virginie Nazabal

Fonction : Auteur
PersonId : 177367
IdHAL : virginie-nazabal
ORCID : 0000-0002-0113-3935
IdRef : 119128063

Institut des Sciences Chimiques de Rennes

CV

C. Boussard-Pledel

Fonction : Auteur
PersonId : 10241
IdHAL : catherine-boussard-pledel
ORCID : 0000-0001-6303-648X
IdRef : 165597933

B. Bureau

Fonction : Auteur

J. Cebulski

Fonction : Auteur

H. Jain

Fonction : Auteur

Department of Mathematics [Bethlehem, USA]

Domaines

Matériaux

Corinne Perier : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01152508

Soumis le : lundi 18 mai 2015-09:27:04

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14

Dates et versions

hal-01152508 , version 1 (18-05-2015)

Identifiants

HAL Id : hal-01152508 , version 1
DOI : 10.1063/1.4919947
PUBMED : 25978894

Citer

R. Golovchak, Ya. Shpotyuk, Virginie Nazabal, C. Boussard-Pledel, B. Bureau, et al.. Study of Ga incorporation in glassy arsenic selenides by high-resolution XPS and EXAFS. Journal of Chemical Physics, 2015, 142 (18), pp.184501/1-184501/10. ⟨10.1063/1.4919947⟩. ⟨hal-01152508⟩

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