Diamond as substrate for 3C-SiC growth: A TEM study - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Diamond as substrate for 3C-SiC growth: A TEM study

F. Lloret
Dpto Ciencia de los Materiales
José Carlos Pinero
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 956709
Depto de Ciencia de los Materiales
Daniel Araujo
  • Fonction : Auteur
Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne]
M.P. Villar
  • Fonction : Auteur
Dpto Ciencia de los Materiales
Etienne Gheeraert
Semi-conducteurs à large bande interdite
CV
A. Vo-Ha
  • Fonction : Auteur
V. Souliere
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
M. Rebaud
  • Fonction : Auteur
Davy Carole
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Gabriel Ferro
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Etienne Gheeraert  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01147817

Soumis le : vendredi 1 mai 2015-20:41:49

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01147817 , version 1 (01-05-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01147817 , version 1

Citer

F. Lloret, José Carlos Pinero, Daniel Araujo, M.P. Villar, Etienne Gheeraert, et al.. Diamond as substrate for 3C-SiC growth: A TEM study. SBDD, 2014, Hasselt, Belgium. ⟨hal-01147817⟩

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