Atomistic Model for Ge Condensation under SiGe Oxidation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Defect and Diffusion Forum Année : 2015

Atomistic Model for Ge Condensation under SiGe Oxidation

P. Ganster
  • Fonction : Auteur
A. Saul
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
CV
G. Tréglia
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.science/hal-01130906

Soumis le : jeudi 12 mars 2015-15:12:34

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01130906 , version 1 (12-03-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01130906 , version 1

Citer

P. Ganster, A. Saul, G. Tréglia. Atomistic Model for Ge Condensation under SiGe Oxidation. Defect and Diffusion Forum, 2015, 363, pp.210-216. ⟨hal-01130906⟩

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