Identification of dipolar relaxation and interface states response in the low temperature admittance of MIS tunnel junctions with molecular monolayer insulator : Hg // C12H25 – n-Si(111) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2012

Identification of dipolar relaxation and interface states response in the low temperature admittance of MIS tunnel junctions with molecular monolayer insulator : Hg // C12H25 – n-Si(111)

Christian Godet
Institut de Physique de Rennes
CV
Alain Bruno Fadjie-Djomkam
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique de Rennes
Soraya Ababou-Girard
Institut de Physique de Rennes
CV

Domaines

Physique [physics]

Christian Godet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01123883

Soumis le : jeudi 5 mars 2015-16:36:04

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00

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Dates et versions

hal-01123883 , version 1 (05-03-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01123883 , version 1

Citer

Christian Godet, Alain Bruno Fadjie-Djomkam, Soraya Ababou-Girard. Identification of dipolar relaxation and interface states response in the low temperature admittance of MIS tunnel junctions with molecular monolayer insulator : Hg // C12H25 – n-Si(111). ELEC'MOL 2012, Dec 2012, Grenoble, France. ⟨hal-01123883⟩

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