The use of very thin active layer to improve the characteristics of TFTs based on not single crystalline semiconductors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

The use of very thin active layer to improve the characteristics of TFTs based on not single crystalline semiconductors

Domaines

Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Katell Kervella  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01121706

Soumis le : lundi 2 mars 2015-14:22:58

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01121706 , version 1 (02-03-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01121706 , version 1

Citer

Mamadou Lamine Samb, Hanpeng Dong, Emmanuel Jacques, G. Sissoko, A Seidou-Maiga, et al.. The use of very thin active layer to improve the characteristics of TFTs based on not single crystalline semiconductors. Conference on Thin Film Transistors ITC 2015, Feb 2015, Rennes, France. ⟨hal-01121706⟩

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