Article Dans Une Revue
Materials Science in Semiconductor Processing
Année : 2000
Laurent Auvray : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01118272
Soumis le : mercredi 18 février 2015-16:52:07
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01118272 , version 1
Citer
Laurent Auvray, H. Dumont, J. Dazord, Y. Monteil, Jean Bouix, et al.. MOVPE growth of GaAsN : surface study by AFM and optical properties. Materials Science in Semiconductor Processing, 2000, 3, pp.505-509. ⟨hal-01118272⟩
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