Conception d'un JFET haute tension à canal latéral et vertical en carbure de silicium

Florian Chevalier (1) , Pierre Brosselard (1) , Dominique Planson (1) , Dominique Tournier (1)

1 EE - Ampère, Département Energie Electrique

Cet article a pour but de présenter les avancées des travaux dans le domaine des interrupteurs électroniques de puissance, en particulier à base de transistors à effet de champ. Après un bref état de l'art dans ce domaine, on trouvera décrit en détail un JFET à canal vertical et latéral, qui présente de très nombreux avantages, en particulier pour les tensions très élevées. Cette structure a été retenue après comparaison avec un JFET à canal vertical seulement, non présenté ici, plus simple à fabriquer d'un point de vue technologique, mais moins adapté aux applications de haute tension visées.

Domaines: Electronique; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Florian Chevalier, Pierre Brosselard, Dominique Planson, Dominique Tournier. Conception d'un JFET haute tension à canal latéral et vertical en carbure de silicium. JNRDM2011, May 2011, Paris, France. ⟨hal-01113175⟩