Impact of back biasing on the effective mobility in UTBB FDSOI CMOS technology

I. Ben-Akkez (1) , C. Fenouillet-Beranger (2) , A. Cros (3) , F. Balestra (1) , G. Ghibaudo (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 IDES - Interactions et dynamique des environnements de surface

Mots clés: CMOS memory circuits; MOSFET; UTB FDSOI; carrier mobility; silicon-on-insulator; surface roughness; surface scattering; thin film circuits

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

I. Ben-Akkez, C. Fenouillet-Beranger, A. Cros, F. Balestra, G. Ghibaudo. Impact of back biasing on the effective mobility in UTBB FDSOI CMOS technology. 2013 International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble: Technology, Design, Packaging, Simulation and Test International Conference and table Top Exhibition (ISCDG 2013), Sep 2013, Dresden, Germany. ⟨10.1109/ISCDG.2013.6656324⟩. ⟨hal-01078796⟩