Understanding Ge impact on VT and VFB in Si1-xGex/Si pMOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01074279 , version 1 (14-10-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01074279 , version 1

Citer

A. Soussou, Cédric Leroux, D. Rideau, A. Toffoli, G. Romano, et al.. Understanding Ge impact on VT and VFB in Si1-xGex/Si pMOSFETs. INFOS 2013, Jun 2013, Cracow, Poland. pp.15.4. ⟨hal-01074279⟩
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