An analytical model of back-gate coupling effects in vertical double-gate SOI MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

An analytical model of back-gate coupling effects in vertical double-gate SOI MOSFETs

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01068009

Soumis le : mercredi 24 septembre 2014-15:27:01

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13

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Dates et versions

hal-01068009 , version 1 (24-09-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01068009 , version 1

Citer

Y. Guo, Franklin Liu, S. Chang, J. Yao, S. Cristoloveanu. An analytical model of back-gate coupling effects in vertical double-gate SOI MOSFETs. EuroSOI 2013, Jan 2013, Paris, France. pp.P2.1. ⟨hal-01068009⟩

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