Quantitative description for the growth rate of self-induced GaN nanowires
Résumé
no abstract
Article Dans Une Revue
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Année : 2012
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https://hal.science/hal-01067040
Soumis le : lundi 22 septembre 2014-18:05:04
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Citer
Vincent Consonni, V. G. Dubrovskii, A. Trampert, L. Geelhaar, H. Riechert. Quantitative description for the growth rate of self-induced GaN nanowires. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2012, 85 (15), pp.155313. ⟨10.1103/PhysRevB.85.155313⟩. ⟨hal-01067040⟩
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