Etude de différents transistors de puissance SiC 1.2kV des températures cryogéniques aux hautes températures

Thibaut Chailloux (1) , Cyril Calvez (1) , Dominique Tournier (1) , Dominique Planson (1)

1 EE - Ampère, Département Energie Electrique

Le but de cette étude consiste à comparer les effets de la température sur différents transistors de puissance en SiC (MOSFET, JFET, BJT). Leurs caractéristiques ont été mesurées pour des températures de 80K à 525K. Tous les composants sont fonctionnels à haute température et ont des caractéristiques supérieures aux composants conventionnels en Silicium. En haute température, le BJT en SiC se distingue par des pertes en conduction faibles et peu influencées par la température. Le SJT se démarque par des courants de fuite faibles et variant modérément avec la température. Le MOSFET a des pertes en commutation plus faible que les autres composants dans les conditions de test. Enfin les JFETs étudiés se caractérisent par une commande peu affectée par la température et des caractéristiques statiques et dynamiques moyennes, et représentent un bon compromis. A température cryogénique, le BJT se distingue car ses pertes en conduction, son gain et ses courants de fuite sont beaucoup moins affectés que les autres composants.

Domaines: Energie électrique

Thibaut Chailloux, Cyril Calvez, Dominique Tournier, Dominique Planson. Etude de différents transistors de puissance SiC 1.2kV des températures cryogéniques aux hautes températures. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065281⟩