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Conference papers

Estimation des pertes dans les transistors bipolaires SiC

Résumé : Cet article traite de l'estimation des pertes dans les transistors bipolaire SiC. Deux méthodes sont présentées ici. La première, qualifiée d'électrique, consiste à mesurer la tension et le courant commutés par le composant puis de calculer les pertes par conduction et par commutation (amorçage et blocage indifférenciés). Cette méthode de mesure, très sensible, est ensuite comparée à la deuxième méthode dite méthode calorimétrique. Cette dernière simplifiée ici consiste à mesurer l'élévation de température d'un bloc d'aluminium sur lequel le transistor est monté. Connaissant la capacité thermique du bloc d'aluminium, il est ensuite possible de calculer les pertes totales dans le transistor pourvu (les échanges thermiques avec l'extérieur sont négligés pour le calcul). La faible différence de résultats valide la méthode électrique qui, combinée à la méthode de la double impulsion, permet l'étude de différents paramètres environnants (courant de base, courant de collecteur, diode anti-saturation, température de jonction...) pour une température de jonction quasi-constante.
Document type :
Conference papers
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065220
Contributor : Ccsd Sciencesconf.Org <>
Submitted on : Thursday, September 18, 2014 - 9:53:11 AM
Last modification on : Tuesday, September 14, 2021 - 3:35:57 AM
Long-term archiving on: : Friday, December 19, 2014 - 11:26:09 AM

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  • HAL Id : hal-01065220, version 1

Citation

Cheng Chen, Denis Labrousse, Stéphane Lefebvre, Cyril Buttay, Hervé Morel. Estimation des pertes dans les transistors bipolaires SiC. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065220⟩

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