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Conference papers

Modélisation phénoménologique de la caractéristique IV en direct de diodes Schottky/JBS en carbure de silicium

Résumé : Ce travail de recherche propose une approche nouvelle de modélisation de diodes Schottky/JBS en carbure de silicium en employant la seule équation de Shockley comme terme générique d'un modèle électrique multi-branches. La fonction de Lambert est utilisée pour s'affranchir du caractère implicite de cette équation. In fine, des paramètres - dits phénoménologiques - sont déterminés afin de reconstruire la caractéristique IVT en dessous et au dessus du seuil avec un facteur de qualité convaincant. Deux cas sont traités, celui d'une diode Schottky SiC avec interface en Tungstène stable, et celui de diodes Schottky et JBS avec interface en Nickel issues de procédés de conception/fabrication en cours de développement. Les résultats obtenus permettent de discuter de la maturité/qualité de l'interface métal/semiconducteur étudiée et des possibles mécanismes de conduction à l'oeuvre. Enfin, le modèle phénoménologique présente aussi un intérêt en terme de simulations électriques. 
Document type :
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065193
Contributor : Ccsd Sciencesconf.Org <>
Submitted on : Thursday, September 18, 2014 - 9:49:52 AM
Last modification on : Monday, September 13, 2021 - 2:44:04 PM
Long-term archiving on: : Friday, December 19, 2014 - 11:11:16 AM

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  • HAL Id : hal-01065193, version 1

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Besar Asllani, Shiqin Niu, Patrick Denis, Maxime Berthou, Dominique Tournier, et al.. Modélisation phénoménologique de la caractéristique IV en direct de diodes Schottky/JBS en carbure de silicium. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065193⟩

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