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Conference papers

Vieillissement thermique de diodes Schottky en carbure de silicium: validation de l'analyse de défaillance par le cas singulier

Résumé : Des essais de vieillissement en stockage thermique à haute température (240 ̊C) ont été réalisés sur des diodes Schottky en boîtier TO220 du commerce dans des conditions d'utilisation en mode " Uprating " ou " Derating ". Les analyses ont révélé un mécanisme de défaillance combiné, composé d'une vaporisation de l'humidité présente en quantité importante préférentiellement à l'interface résine/semelle, induisant une dégradation libérant de l'espace, et d'un étalement/dérobement de la brasure sous la puce autorisé par l'espace vide susmentionné. Les analyses aux rayons X, en microscopie acoustique, optique et électronique dans l'ordre méthodologique soutiennent avec force la description du mécanisme de défaillance. L'originalité de ces travaux est double, puisqu'au delà de l'étude des cas statistiquement représentatifs, l'étude d'un cas atypique et singulier appuie et valide indiscutablement les hypothèses posées. Ainsi, le cas particulier est présenté comme un cas potentiellement déterminant à la validation d'une analyse de défaillance et dans la perspective de solutions techniques curatives et palliatives. 
Document type :
Conference papers
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065192
Contributor : Ccsd Sciencesconf.Org <>
Submitted on : Thursday, September 18, 2014 - 9:49:46 AM
Last modification on : Monday, September 13, 2021 - 2:44:04 PM
Long-term archiving on: : Friday, December 19, 2014 - 11:11:05 AM

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  • HAL Id : hal-01065192, version 1

Citation

Patrick Denis, Pascal Dherbécourt, O. Latry. Vieillissement thermique de diodes Schottky en carbure de silicium: validation de l'analyse de défaillance par le cas singulier. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065192⟩

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