Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
Remi Dussart : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01057235
Soumis le : jeudi 21 août 2014-17:42:09
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:59
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01057235 , version 1
Citer
Nicolas Gosset, Julien Ladroue, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, et al.. Dry deep etching of GaN wide band-gap Semiconductor. AVS 60th International Symposium & Exhibition, Oct 2013, Long Beach, United States. ⟨hal-01057235⟩
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