Influence of Device Scaling on Low-Frequency Noise in SOI Tri-Gate N- and P-Type Si Nanowire MOSFETs

M. Koyama (1) , M. Cassé (2) , R. Coquand (1) , S. Barraud (3) , G. Ghibaudo (1) , H. Iwai , G. Reimbold

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 DAPNIA - Département d'Astrophysique, de physique des Particules, de physique Nucléaire et de l'Instrumentation Associée
3 LGCIE - Laboratoire de Génie Civil et d'Ingénierie Environnementale

Mots clés: Noise measurement; Noise; MOSFET; Field effect transistors; Current measurement; silicon

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

M. Koyama, M. Cassé, R. Coquand, S. Barraud, G. Ghibaudo, et al.. Influence of Device Scaling on Low-Frequency Noise in SOI Tri-Gate N- and P-Type Si Nanowire MOSFETs. 43rd ESSDERC, Sep 2013, Bucarest, Romania. pp.303-307, ⟨10.1109/ESSDERC.2013.6818878⟩. ⟨hal-01022530⟩