Impact du recuit d'activation sur la passivation par Al2O3 du silicium type p Cz

Matthieu Pawlik (1) , Jean-Pierre Vilcot (1) , Mathieu Halbwax (1) , M. Gauthier (2) , N. Le Quang (2)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 PHOTOWATT, EDF ENR PWT

L'Al2O3 déposé par ALD est un diélectrique bien connu pour la passivation de surface du silicium type-p. Cependant, une étape de recuit post-dépôt est nécessaire pour activer la passivation. Grâce à des mesures de densités de charges effectives, de défauts d'interface, temps de vie de porteurs de charges, XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), sur le même échantillon, une description duprocessus d'activation est donnée. La présence d'hydrogène et d'oxygène est reliée à l'évolution des paramètres électriques pour un recuit de 30min à 450°C pour du silicium type p Cz.

Matthieu Pawlik, Jean-Pierre Vilcot, Mathieu Halbwax, M. Gauthier, N. Le Quang. Impact du recuit d'activation sur la passivation par Al2O3 du silicium type p Cz. 17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01020286⟩