Article Dans Une Revue
Nanotechnology
Année : 2009
Rudeesun Songmuang : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01003087
Soumis le : lundi 9 juin 2014-18:20:40
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:24:09
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01003087 , version 1
- DOI : 10.1088/0957-4484/20/29/295706
Citer
C. Bougerol, R. Songmuang, D. Camacho, Y.M. Niquet, Rafael Mata, et al.. The structural properties of GaN insertions in GaN/AlN nanocolumn heterostructures. Nanotechnology, 2009, 20 (29), pp.295706. ⟨10.1088/0957-4484/20/29/295706⟩. ⟨hal-01003087⟩
89
Consultations
0
Téléchargements