ESD protection using BIMOS transistor in 100 GHz RF application for advanced CMOS technology ICICDT-2013, May 29th-31st, 2013, Pavia, Italy

P. Galy; T. Lim; J. Jimenez; B. Heitz; P. Benech; J.-M. Fournier; D. Marin-Cudraz

ESD protection using BIMOS transistor in 100 GHz RF application for advanced CMOS technology ICICDT-2013, May 29th-31st, 2013, Pavia, Italy

P. Galy T. Lim ¹ J. Jimenez ² B. Heitz P. Benech ³ J.-M. Fournier ³ D. Marin-Cudraz

1 LPMA - Laboratoire de Probabilités et Modèles Aléatoires

2 Departomento Tecnologia Electronice, ETSI de Telecomunicacion, Universitad Politecnica de Madrid, Spain

3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Type de document :

Communication dans un congrès

ICICDT-2013, May 2013, Pavia, Italy. pp.1-4, 2013

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Liste complète des métadonnées

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00997060
Contributeur : Isabelle Michelin <>
Soumis le : mardi 27 mai 2014 - 14:14:24
Dernière modification le : vendredi 4 janvier 2019 - 17:32:33

ESD protection using BIMOS transistor in 100 GHz RF application for advanced CMOS technology ICICDT-2013, May 29th-31st, 2013, Pavia, Italy

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