Préparation et propriétés diélectriques du Ba0,90Sr0,10TiO3 dopé au manganèse

Caroline Borderon (1) , Raphaël Renoud (1) , Dominique Averty (1) , Raynald Seveno (1) , Hartmut Wolfgang Gundel (1)

1 IETR - Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique

Dans le cadre de cette étude, des couches minces de Ba0,90Sr0,10TiO3 dopées au manganèse ont été réalisées par un procédé sol-gel modifié basé sur des précurseurs alkoxydes. La cristallinité et la morphologie des films ont été étudiées montrant que le manganèse ne modifie pas significativement les propriétés structurales du matériau. Les cycles d'hystérésis à 50 Hz ont été mesurés et un cycle saturé présentant les meilleures propriétés a été obtenu pour un dopage à 3 %. La permittivité et les pertes diélectriques (tan ) sont mesurées à 1 MHz en fonction d'un champ continu permettant ainsi d'estimer l'accordabilité et la figure de mérite (F.O.M.) de chaque échantillon. Un dopage au manganèse de 3 % molaire semble finalement offrir le meilleur compromis entre accordabilité et pertes diélectriques.

Mots clés: BST; dopage; défauts; permittivité diélectrique; films minces

Domaines: Matériaux

Caroline Borderon, Raphaël Renoud, Dominique Averty, Raynald Seveno, Hartmut Wolfgang Gundel. Préparation et propriétés diélectriques du Ba0,90Sr0,10TiO3 dopé au manganèse. MATERIAUX 2010, Oct 2010, Nantes, France. pp.1-5. ⟨hal-00991536⟩