"Fabrication of high resistivity cold-implanted InGaAsP photoconductors for efficient pulsed terahertz device" - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Optic Material Express Année : 2011

"Fabrication of high resistivity cold-implanted InGaAsP photoconductors for efficient pulsed terahertz device"

A. Fekecs
  • Fonction : Auteur
M. Bernier
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
. Morris
  • Fonction : Auteur
M. Chicoine
  • Fonction : Auteur
F. Schiettekatte
  • Fonction : Auteur
P. Charette
R. Arès
  • Fonction : Auteur

Domaines

Optique [physics.optics]

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https://hal.science/hal-00991358

Soumis le : jeudi 15 mai 2014-10:26:54

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:50:03

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Dates et versions

hal-00991358 , version 1 (15-05-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00991358 , version 1

Citer

A. Fekecs, M. Bernier, . Morris, M. Chicoine, F. Schiettekatte, et al.. "Fabrication of high resistivity cold-implanted InGaAsP photoconductors for efficient pulsed terahertz device". Optic Material Express, 2011, 1 (7), pp.1167-1177. ⟨hal-00991358⟩

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