Skip to Main content Skip to Navigation
Patents

PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION JFET

Résumé : L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ de type à grille en tranchée comprenant : * - la formation (110) d'au moins une tranchée (11, 12, 13) dans un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type de conductivité, ledit substrat comprenant deux faces opposées dite face avant et face arrière, * - l'implantation primaire (120) d'ions ayant un deuxième type de conductivité de sorte à implanter chaque tranchée du substrat pour former une région active de grille, * - le dépôt (160) d'une couche de silicium poly-cristallin du deuxième type de conductivité sur la région active de grille implantée, * - l'oxydation (160) de la couche de silicium poly-cristallin, et * - la métallisation (180) du substrat sur ses faces avant et arrière pour former des régions actives de source et de drain.
Document type :
Patents
Complete list of metadata

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00989013
Contributor : Publications Ampère <>
Submitted on : Friday, May 9, 2014 - 3:09:51 PM
Last modification on : Monday, September 13, 2021 - 2:44:04 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-00989013, version 1

Citation

Dominique Tournier, Florian Chevalier, Philippe Godignon, José Millán. PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION JFET. France, N° de brevet: FR2012/051983. 2014, pp.30. ⟨hal-00989013⟩

Share

Metrics

Record views

203