Starck effects model used to highlight selective activation of failure mechanisms in MQW InGaN/GaN light emitting diodes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Device and Materials Reliability Année : 2010

Starck effects model used to highlight selective activation of failure mechanisms in MQW InGaN/GaN light emitting diodes

Domaines

Electronique

Isabelle Bord  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00979617

Soumis le : mercredi 16 avril 2014-14:17:52

Dernière modification le : lundi 11 septembre 2023-16:36:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00979617 , version 1 (16-04-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00979617 , version 1

Citer

Yannick Deshayes, Laurent Bechou, Yves Ousten. Starck effects model used to highlight selective activation of failure mechanisms in MQW InGaN/GaN light emitting diodes. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2010, 10 (Issue 1), pp.164-170. ⟨hal-00979617⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS IMS-BORDEAUX IMS-BORDEAUX-FUSION
44 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More