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Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Pushing the limits of GaN-on-silicon device breakdown voltage for high power applications

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https://hal.science/hal-00976633

Soumis le : jeudi 10 avril 2014-11:01:42

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00976633 , version 1 (10-04-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00976633 , version 1

Citer

Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, F Medjdoub. Pushing the limits of GaN-on-silicon device breakdown voltage for high power applications. CMOS Emerging Technologies Research Symposium, 2014, Grenoble, France. ⟨hal-00976633⟩

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