Polycrystalline CMOS TFT's Low Temperature (<600 B°) Fabrication Process by LPCVD and SPC Techniques

C.E. Viana; G. Gautier; Samuel Crand; N.I. Morimoto; Olivier Bonnaud

Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Polycrystalline CMOS TFT's Low Temperature (<600 B°) Fabrication Process by LPCVD and SPC Techniques

, , (1) , , (1)

1

C.E. Viana

Fonction : Auteur

G. Gautier

Fonction : Auteur
PersonId : 18457
IdHAL : gael-gautier
ORCID : 0000-0002-6854-7040
IdRef : 069994293

CV

Samuel Crand

Fonction : Auteur

Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique

N.I. Morimoto

Fonction : Auteur

Olivier Bonnaud

Fonction : Auteur
PersonId : 936044

Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique

Katell Kervella : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00958880

Soumis le : jeudi 13 mars 2014-15:19:25

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Dates et versions

hal-00958880 , version 1 (13-03-2014)

Identifiants

HAL Id : hal-00958880 , version 1

Citer

C.E. Viana, G. Gautier, Samuel Crand, N.I. Morimoto, Olivier Bonnaud. Polycrystalline CMOS TFT's Low Temperature (<600 B°) Fabrication Process by LPCVD and SPC Techniques. Proc. IDMC 922002, Jan 2002, Seoul, South Korea. pp.421-423. ⟨hal-00958880⟩

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