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Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Reliability improvement of high value doped polysilicon-based resistors

Erwann Carvou
CV
France Le Bihan
  • Fonction : Auteur
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique
Anne-Claire Salaün
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique
Olivier Bonnaud
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 936044
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique
Y. Rey-Tauriac
  • Fonction : Auteur
X. Gagnard
  • Fonction : Auteur
L. Rolland
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00936590

Soumis le : lundi 27 janvier 2014-09:52:20

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00936590 , version 1 (27-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00936590 , version 1

Citer

Erwann Carvou, France Le Bihan, Anne-Claire Salaün, Olivier Bonnaud, Y. Rey-Tauriac, et al.. Reliability improvement of high value doped polysilicon-based resistors. ESSREF 2002, Oct 2002, Rimini, Italy. ⟨hal-00936590⟩

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