Study of the stability of polycristalline silicon by means of the behavior of thin film transistors under gate bias stress - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Non-Crystalline Solids Année : 2002

Study of the stability of polycristalline silicon by means of the behavior of thin film transistors under gate bias stress

Tayeb Mohammed-Brahim
  • Fonction : Auteur
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique
A. Rahal
  • Fonction : Auteur
G. Gautier
CV
F. Raoult
  • Fonction : Auteur
H. Toutah
  • Fonction : Auteur
B. Tala-Ighil
  • Fonction : Auteur
Jean-François Llibre

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https://hal.science/hal-00934150

Soumis le : mardi 21 janvier 2014-16:01:10

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00934150 , version 1 (21-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00934150 , version 1

Citer

Tayeb Mohammed-Brahim, A. Rahal, G. Gautier, F. Raoult, H. Toutah, et al.. Study of the stability of polycristalline silicon by means of the behavior of thin film transistors under gate bias stress. Journal of Non-Crystalline Solids, 2002, 299-302, pp.497-501. ⟨hal-00934150⟩

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