Tailored Voltage deposition of µc-Si1-xCx:H from H2 diluted SiH4 and CH4 gas mixtures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Tailored Voltage deposition of µc-Si1-xCx:H from H2 diluted SiH4 and CH4 gas mixtures

Sofia Gaiaschi
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
R. Ruggeri
  • Fonction : Auteur
E.V. Johnson
CV
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
Pavel Bulkin
P. Chapon
  • Fonction : Auteur
G. Mannino
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00931312

Soumis le : mercredi 15 janvier 2014-11:29:52

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00931312 , version 1 (15-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00931312 , version 1

Citer

Sofia Gaiaschi, R. Ruggeri, E.V. Johnson, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Christophe Longeaud, et al.. Tailored Voltage deposition of µc-Si1-xCx:H from H2 diluted SiH4 and CH4 gas mixtures. ICANS 25, Aug 2013, Toronto, Canada. ⟨hal-00931312⟩

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