Multilayered growth approach of high indium content InGaN layers for high efficiency photovoltaics

Type de document :
Communication dans un congrès
IMRC 2013, Aug 2013, Cancun, Mexico
Liste complète des métadonnées

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00930183
Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : mardi 14 janvier 2014 - 14:16:55
Dernière modification le : mercredi 20 septembre 2017 - 17:01:18

Identifiants

  • HAL Id : hal-00930183, version 1

Citation

J.P. Salvestrini, G. Orsal, Y. El Gmili, T. Moudakir, S. Sundaram, et al.. Multilayered growth approach of high indium content InGaN layers for high efficiency photovoltaics. IMRC 2013, Aug 2013, Cancun, Mexico. <hal-00930183>

Partager

Métriques

Consultations de la notice

105