Multilayered growth approach of high indium content InGaN layers for high efficiency photovoltaics

Type de document :
Communication dans un congrès
IMRC 2013, Aug 2013, Cancun, Mexico
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00930183
Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : mardi 14 janvier 2014 - 14:16:55
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:22:15

Identifiants

  • HAL Id : hal-00930183, version 1

Citation

J.P. Salvestrini, G. Orsal, Y. El Gmili, T. Moudakir, S. Sundaram, et al.. Multilayered growth approach of high indium content InGaN layers for high efficiency photovoltaics. IMRC 2013, Aug 2013, Cancun, Mexico. 〈hal-00930183〉

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